ООО ЭЛТОМ
+ 7 (3842)288-977, 287-737
|
Переход на мобильную версию сайта г. Кемерово пр.Кузнецкий дом 32 |
Корзина
0 товаров, 0.00 руб. |
Описание товара
FQPF85N06 — описание:Транзисторы полевые Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 53 A
Тип корпуса TO-220F
Максимальное рассеяние мощности 62 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.7
Высота 9.19мм
Размеры 10.16 x 4.7 x 9.19мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.16мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 40 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 175 ns
Серия QFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 10 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 60 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 86 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 3170 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -25 В, +25 В
Наличие:
Покупка: |