ООО ЭЛТОМ
+ 7 (3842)288-977, 287-737
|
Переход на мобильную версию сайта г. Кемерово пр.Кузнецкий дом 32 |
Корзина
0 товаров, 0.00 руб. |
Описание товара
2N7000 — описание:Транзисторы полевые
Технология:Si
Корпус:TO-92-3
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:60 V
Id - непрерывный ток утечки:200 mA
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:1.2 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток:20 V
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Pd - рассеивание мощности:400 mW
Конфигурация:одиночный
Канальный режим:Enhancement
Высота:5.33 mm
Длина:5.2 mm
Серия:2N7000
Тип транзистора:1 N-Channel
Тип:FET
Ширина:4.19 mm
Торговая марка:ON Semiconductor
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:0.1 S
Тип продукта:MOSFET
ОПИСАНИЕ ПРОИЗВОДИТЕЛЯ СМОТРЕТЬ
Наличие:
Покупка: |